罗姆半导体开发出新型碳化硅功率元器件第4代SiC MOSFET_火狐体育官网iOS下载-安卓版最新版-链接


新闻中心

火狐体育官网链接:罗姆半导体开发出新型碳化硅功率元器件第4代SiC MOSFET

发布时间:2022-09-29 10:07:25 来源:火狐体育安卓版最新版 点击次数:62 作者:火狐体育官网链接

  “双碳时代”已缓缓拉开帷幕,各行各业都将面临减排挑战。在电动车领域中,如何开发出小型化、更低功耗、更高性能的电控系统已成为产业链上下共同探索的方向。

  罗姆于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET,是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品,目前不仅可供应裸芯片,还可供应分立封装的产品。该产品有助于实现车载逆变器和各种开关电源等各种应用的小型化和低功耗。

  与Si(硅)半导体相比,SiC(碳化硅)半导体的禁带宽度更大,因此,其击穿场强是Si半导体的10倍以上。相对于Si MOSFET支持在1,000V以内工作,SiC MOSFET则可在高达3,000V的高电压条件下工作。该手册将围绕以下内容诠释“改变世界的碳化硅功率元器件”。百

  第4代SiC MOSFET拥有诸多优势,是第3代SiC MOSFET的沟槽栅结构的进一步演进,将导通电阻降低约40%,开关损失降低约50%。如果推进高电压化(400V和800V)和大容量化(50kW-350kW),能实现续航距离的延长和快速充电的时间缩短,减少能源损失。对转换器的开关频率高频化、负载变化率大,轻负载运转较多的EV有降低损耗的效果,使得续航距离延长,运行成本降低。

  SiC功率半导体是在提高便利性的同时,EV、数据中心、基站、智能电网等高电压和大容量的应用中,是提高功率转换效率的关键功率设备。活用这些高速开关性能,对低导通电阻对功率转换效率的提高有很大的贡献。本应用笔记使用第4代SiC MOSFET,进行了基本的降压型DC-DC转换器的实机验证、EV的牵引逆变器模拟行驶试验,以及确Totem-polePFC的实机有用性。

  文章出处:【微信号:罗姆半导体集团,微信公众号:罗姆半导体集团】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

  是德科技静电计/高阻计 (B2985B/B2987B) 可以提供出色的 10 aA (0.01 fA....

  IGBT 和 SiC 电源开关有哪些市场和应用? 高效的电源转换在很大程度上取决于系统中使用的功 率....

  富昌电子选择Z2Data进行全面元器件匹配_高通、宝马和Arriver面向自动驾驶技术将长期合作

  加拿大蒙特利尔 – 2022年3月1日 – 领先的电子元器件分销商富昌电子选择了电子元器件数据和信息....

  普芮玛光电推出Dual-PD PCA4540 派恩杰拟建车用SiC模块封装产线将两个PD集成到一个芯片之上,且两个通道的PD拥有非常好的对称性。产品芯片采用自主晶圆....

  电子发烧友网报道(文/程文智)这几年第三代半导体产业发展得如火如荼,GaN器件在快充等消费类电子领域....

  群创光电InnoLED引领Esports电竞萤幕_环旭电子预计在2022量产IGBT与SiC电源模块

  群创新一代「InnoLED技术」业界首发27吋 1440p IGZO 300hz miniLED 电....

  微容获得业内首个MLCC陶瓷晶粒分析方法发明专利,高容量MLCC技术再突破

  MLCC的高容量性能主要通过精密的材料和多层电极堆叠实现,其中关键的陶瓷介电材质已经进入纳米级的水平....

  (文/程文智)这几年第三代半导体产业发展得如火如荼,GaN器件在快充等消费类电子领域得到了广泛的应用....

  各路神仙,有谁了解这个元器件的资料信息吗?我找了好久都没找到。如有知晓还请告知,万分感谢!!!...

  作为电池外壳气密性检测设备生产厂家都知道,由于电池包外壳的使用行业的特殊性,在选购电池外壳气密性检测....

  常见的贴片电容有陶瓷电容、铝电解电容、钽电容,铝电解电容和钽电容是分正负极的,两个引脚不能焊错,否则....

  Hqst盈盛(华强盛)电子导读:上一个节点给大家分享了网络变压器典型类型线圈通过BL检测能检查出线圈....

  各路大神,想请问一下这个元器件的资料有哪位了解的?我找了好久没找到。拜托各路大神解惑。万分感谢!...

  一个小小的贴片二极管,却有着很强大的作用,贴片二极管它就是晶体二极管,在很早的时候它是被叫做真空二极....

  贴片电阻(SMD Resistor),又名片式固定电阻器,是一种设计为贴片安装的电阻器。这些SMD电....

  概述 电源芯片被称为“电子设备的灵魂”,几乎决定了所有电子设备的综合性能,而思睿达是专注于ADC、D....

  摘要:3月5日14 时,我国在西昌卫星发射中心用长征二号丙运载火箭,成功将银河航天首次批量研制的六颗....

  备用电源对电子式电表断电时保持运行至关重要,此设计采用超级电容器作为储能元件,可在主电源与备用操作之....

  意大利和法国:欧洲投资银行向意法半导体提供6亿欧元贷款,加强欧洲半导体产业实力

  欧洲投资银行 (EIB)为意法半导体提供巨资支持:为该半导体集团在欧洲的研发 (R&D) 和产前活动....

  至少过去的一、两年以来,供应链遭受了诸多困难——复杂的是:贸易限制、前所未有的自然灾害、全球疫情以及....

  Cruise 朝着我们打造更安全、更可持续和更便捷的交通未来的愿景迈出了一大步。 我们与通用汽车公司....

  在全球实现碳中和的一致目标下,汽车电动化和智能化的推进和普及是可期的。

  8.2.10.1 影响反型层迁移率的机理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  8.2.10.1影响反型层迁移率的机理8.2.10反型层电子迁移率8.2金属-氧化物-半导体场效应晶....

  电路板着火、元器件冒烟,甚至爆炸,是不少电子工程师的日常,尤其是需要过大电流的电源板,电压高、电流大....

  车规级SiC供应商桑德斯,填补国内1200V 25mΩ SiC MOS空白

  桑德斯微电子器件(南京)有限公司与世强硬创平台达成协议,授权世强代理旗下碳化硅(SiC)、二级管等产....

  额指的是额定工作状态,降额就是保障我们电子电路的器件工作条件在额定范围之内,专业点讲就是元器件的使用....

  在pcb设计中,我们经常疑惑pcb的表面应不应该铺铜?这个其实是视情况而定的,首先我们需要了解表面敷....

  答:运用Orcad进行原理图的绘制时,除了它本身自带的这些属性以外呢,有时候会给它增加一些额外的属性....

  SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度....

  桑德斯微电子器件(南京)有限公司与世强硬创平台达成协议,授权世强代理旗下碳化硅(SiC)、二级管等产....

  硅 (Si) 功率器件由于其低成本的批量生产、出色的起始材料质量、易于制造和经过验证的可靠性而在电力....

  8.2.3 MOSFET电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  8.2.3MOSFET电流-电压关系8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极....

  国产碳化硅上车首先是技术过硬,目前,多家国产企业的SiC MOSFET技术实力已经是实现领先。以爱仕....

  随着近年工业的迅速发展,市场市场对硬件工程师的需求量日渐增长,但件工程师是属于入门难、周期长的一门职....

  企业简介江苏韦达半导体有限公司是一家专业从事半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业。公司初创就....

  每到冬季,总有大批大批的博世工程师长途跋涉,排除万难,来到位于中国极北“冰雪之乡”的呼伦贝尔冬季测试....

  电子发烧友网报道(文/程文智)这几年电动汽车发展异常火热,销量是节节攀升,其续航能力也在不断取得突破....

  8.2.1 MOS静电学回顾∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  8.2.1MOS静电学回顾8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关....

  艾迈斯欧司朗的高精确度数字温度传感器能够准确测量温度,提高了体温监测的标准。健康监测设备为诸多身体机....

  LED显示屏显示效果好不好与很多因素有关,如亮度、像素间距、屏面平整度、灯珠的衰减度与失效率、使用环....

  8.1.6 功率JFET器件的实现∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  8.1.6功率JFET器件的实现8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技....

  8.1.5 增强型和耗尽型工作模式∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  8.1.5增强型和耗尽型工作模式8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技....

  以特斯拉Model 3为代表的众多电动汽车量产车型成功应用SiC MOSFET芯片,表明SiC MO....

  将—底层基本要素:从底层单元特性到器件组合—电路功能与特性,归为硬件基础—分立元件-模拟与数字。

  SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于 SiC 功率系统具...

  意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和....

  介绍一、需要的器件二、原理工程代码一、 LCD1602二、超声波测距及主程序。。。。。。 XianShi[4]=dis%10;//厘米的小数点后...

  一、布局元器件布局的10条规则:1. 遵照“先大后小,先难后易”的布置原则,即重要的单元电路、核心元器件应当优先布局.2. 布局...

  电源模块作为电子设备的心脏,其可靠性直接影响产品的质量好坏,因此,在选择上正确判断模块的好坏显得尤为重要。一般我们在选择...

  pioneer电源维修PM36218B-10P-1-8PH-J高压电源专修北京PM34111B-10-1-6PH-F等型号均可维修PIONEER电源维修P...

  1,文本编辑时如何换行? ctral+enter2,如何切换元器件摆放方向? table键3,如何新建端子排?...

  86 MiniGate™是一款先进的CMOS高速2输入异或门,占用空间极小。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.1 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...

  6 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入异或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.5 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 平衡传播延迟 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小Pb免费套餐 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...

  2 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G32输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.7 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 输入时提供断电保护 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小型无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...

  78A是一款4位可配置双电源双向自动感应转换器,不需要方向控制引脚。 V CC I / O和V L I / O端口设计用于跟踪两个不同的电源轨,V CC 和V L 。 V CC 电源轨可配置为1.65V至5.5V,而V L 电源轨可配置为1.65V至5.5V。这允许V L 侧的电压逻辑信号在V CC 侧转换为更低,更高或相等值的电压逻辑信号,反之亦然。 NLSX4378A转换器在I / O线K欧姆上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至V L 或V CC 。 NLSX4378非常适合开漏应用,例如I 2 C通信总线。 特性 优势 宽VCC工作范围:1.65V至5.5V 宽VL工作范围:1.65V至5.5V 允许连接多个电压系统 高速,24 Mb / s保证数据速率 最大限度地减少系统延迟 低位偏移 适合差异信号传输 小型包装 - 2.02 x 1.54mm uBump12 节省物理空间解决方案 应用 终端产 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,PDA,相机 电路图、引脚图和封装图...

  01是一款1位可配置双电源双向自适应传感转换器,不需要方向控制引脚.I / O VCC和I / O VL端口分别用于跟踪两个不同的电源轨,VCC和VL 。 VCC和VLsupply轨道均可配置为1.5 V至5.5 V.这样,VL侧的电压逻辑信号可在VCC侧转换为更低,更高的等值电压逻辑信号,反之亦然.NLSX4401转换器已集成I / O线 k上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至VL或VCC。 NLSX4401非常适合开放式应用,如I2C通信总线。 特性 VL可以小于,大于或等于VCC 宽VCC工作范围:1.5 V至5.5 V 宽VL工作范围:1.5 V至5.5 V 高速,24 Mb / s保证日期速率 低位偏斜 启用输入和I / O引脚是过压容差(OVT)以使能输入和I / O引脚是过压容差(OVT)至5.5 V 非优先通电排序 断电保护 应用 终端产品 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,相机,消费品 电路图、引脚图和封装图...

  125 MiniGate™是一款先进的CMOS高速非反相缓冲器,占用空间极小。 NLU1GT125要求将3状态控制输入()设置为高,以将输出置于高阻态。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT125输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.8 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...

  FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷(SPDT)模拟开关

  是高性能的单刀双掷(SPDT)模拟开关,用于由低电压(1.8V)基带处理器或ASIC驱动的音频应用。该器件在V CC = 4.5 V时具有0.8Ω(最大值)的超低R ON ,可在1.65V到5.5V的宽V CC 范围内工作。该器件采用亚微米CMOS FSA839在低电压ASIC和常规的音频放大器之间连接,CODEC在高达5.5V的工作电压范围内运行。控制电路允许控制引脚(Sel)上提供1.8V(典型值)信号。 应用 多媒体平板电脑 存储和外设 手机 WLAN网卡和宽带接入 PMP / MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...

  NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

  B120H3Q1PG是一款3通道1200 V IGBT + SiC Boost模块。每个通道包括一个快速开关80 A IGBT,一个20 A SiC二极管,一个旁路二极管和一个IGBT保护二极管。该模块具有内置热敏电阻并具有压配销。 特性 优势 1200 V快速开关IGBT 降低IGBT的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 1200 SiC二极管 降低二极管的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 低Vf旁路二极管 提高旁路模式的效率 压合销 无焊接安装 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 分散式公用事业规模太阳能逆变器 商业串式逆变器 电路图、引脚图和封装图...

  NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

  120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...

  NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

  B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...

  一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图

  NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

  低压差(LDO)线性稳压器将在固定输出电压下提供1.5 A电流。快速环路响应和低压差使该稳压器非常适用于低电压和良好负载瞬态响应非常重要的应用。器件保护包括电流限制,短路保护和热关断。 NCP566采用SOT-223封装。 特性 超快速瞬态响应(

  NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

  4是一款30A POL,适用于在小型电路板占板面积内要求高效率的应用。该器件将DC / DC控制器与两个高效mosfet集成在一个采用热增强型5mm x 6mm QFN封装的信号中。它采用获得专利的增强型斜坡脉冲调制控制架构,可提供超快的负载瞬变,从而减少外部电容和/或提供更好的瞬态容差。与传统的恒定时间控制器相比,新架构还改进了负载调节。 特性 优势 效率高 减少电力损失 快速装载瞬态 减少输出电容的数量 频率选择 优化效率和输出滤波器尺寸的权衡 0.6%准确参考 允许非常精确的输出电压 远程感知 提供准确的输出电压 启用输入和电力良好指标 二手用于控制排序 可调节电流限制 低电流设计的灵活性 可调节软启动 允许控制开启坡道 热增强型QFN封装 改善散热 指定-40C至125C 应用 终端产品 服务器 网络 电信 ASICs servere 存储 网络 电路图、引脚图和封装图...

  3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...

  1A是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出o电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...

  1B是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...

  1是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压保护和欠压保护 使用热敏电阻或传感器进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...

  2是一款低输入电压,6 A同步降压转换器,集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括:高性能电压误差放大器,欠压锁定电路,防止启动直到输入电压达到3 V,内部或外部可编程软启动电路,以限制浪涌电流,以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET开关,可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V,准确度为1.0% 宽PWM频率:固定350 kHz,550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压,高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...

  NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

  C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序,输出电压 设计灵活性 过压,欠压和过流保护 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics,fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图...

  NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

  5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器,设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80%以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制,输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率,选择DCM / CCM工作模式,以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作,以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA,ASIC,DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图...